精抛光工藝參數對矽片表面有什麽樣的影響規律。平面抛光機了解到精抛光的主要目的是去除前道工序留下的損壞層，因此抛光去除量的大小直接影響矽片表面的Haze值。同時由于抛光的過程中存在機械去除和化學去除兩種機制，而這兩種機制的匹配程度也對矽片表面的Haze值有著重要影響，當機械去除作用占主導地位時，矽片表面Haze值較小，但是如果機械去除作用占主導地位時，矽片表面Haze值較小，但機械去除作用過大時，會造成矽片表面的局部損壞，如劃傷等，當化學去除作用占主導地位時，矽片表面會發生過度腐蝕的現象，造成矽片表面Haze值較大。

現在社會發展電路發展的越來越快，矽片的Haze值數對于現代半導體器件工藝的影響也越來越受到各種各樣的人的不斷重視，方達研磨在實驗研究出精抛光工藝參數對矽片表面的影響。結果表明，隨著抛光時間的不斷延遲，矽的去除量也會逐漸的增大，矽片表面Haze值逐漸降低，同時抛光過程中機械作用與化學作用的協同作用對Haze值也有較大影響。隨著抛光液溫度的降低與抛光液體積的不斷減小，化學作用從而減弱，矽片表面的Haze值也隨著不斷減小，抛光壓力的不斷增大，機械作用從而起到主導的作用，矽片表面的Haze值也逐渐的降低。随着硅去除量的增大 抛光液温度的下降 抛光液体积流量的降低 抛光压力的增大 硅片表面Haze值基本是保持不變的。